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 本刊目录 |
| 《固体电子学研究与进展》-2016年02期目录 |
- (87)无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展肖德元;张汝京
- (99)氮离子注入提高4H-SiC n-MOSFET沟道迁移率的分析（英文）周郁明;李勇杰
- (106)原子层沉积Al2O3/n-GaN结构的深能级界面态研究黄宇;牟文杰;闫大为;杨国峰;肖少庆;顾晓峰
- (111)AlGaAs梁式引线PIN管及其应用李熙华;胡永军;姚常飞;吴翔;王霄;顾晓春;周剑明;杨立杰
- (115)基于GaAs工艺的新型I-Q矢量调制器芯片设计沈宏昌;沈亚;潘晓枫;徐波;李思其;曲俊达;韩群飞
- (119)大功率平衡式限幅开关设计韩欣丽;丁玉宁;卢毅;郁健
- (124)应用于多模WLANs的紧凑SIR双频带通滤波器夏祖学;陈鹏;薛强;张信歌
- (128)超宽带巴伦的研究与设计乔冬春;戴永胜
- (132)小型宽频带六边形缝隙天线的设计葛少雷;张斌珍;段俊萍;南雪莉;崔建利;寇海容;杨昕
- (136)应用于车载防撞雷达的圆极化微带天线阵列设计陈冰洁;贾国柱;胡大成
- (142)分辨率为800×600的硅基OLED微显示驱动芯片设计杨淼;黄晓刚;张白雪;任健雄;杨建兵;曹允
- (148)基于90nm工艺的8M闪存存储器的设计胡剑;张圣波
- (154)CMOS高速低功耗LVDS驱动电路设计黄灿英;陈艳;沈放;吴敏
- (159)无运放高阶温度补偿的基准电路设计陈忠学;唐杰;章国豪
- (165)DUV辅助高压退火对a-IGZO薄膜微结构及光学特性的影响邹春晖;张婷;汤猛;钟传杰
- (171)fT/fmax>230/290GHZ的超薄势垒InAlGaN/AlN/GaN HEMTs朱广润;张凯;孔月婵
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