|
|
|
|
|
|
访问总数：44701 人次 |
 |
|
| |
|
|
 本刊目录 |
| 《固体电子学研究与进展》-2016年01期目录 |
- 压应变SiGe和张应变Si的能带结构研究周志文;叶剑锋;李世国
- (6)CdS电子结构及光电特性的第一性原理研究骆远征;岑伟富;邓永荣
- (12)2~20GHz GaAs超宽带杂谱抑制单片低噪声放大器彭龙新;牛超;凌显宝;凌志健
- (17)C波段GaN空间合成固态功率放大器成海峰;徐建华
- (21)Ka波段4位大波长数控时延器潘晓枫;李信;徐波
- (25)新型三维立体集成接收模块设计与实现周骏;沈亚;顾江川
- (30)基于遗传算法设计的双陷波超宽带天线刘汉;尹成友;高卫东;刘伟
- (35)基于槽线与微带过渡结构的高隔离巴伦设计张海超;唐宗熙
- (39)VDMOS器件高温热载流子效应的研究储晓磊;高珊;李尚君
- (45)双芯GCT局部少子寿命控制方法的研究王彩琳;刘雯娇;杨晶
- (50)压接式IGBT芯片的研制高明超;韩荣刚;赵哿;刘江;王耀华;李立;李晓平;乔庆楠;金锐;温家良
- (54)宽温度范围高精度带隙基准电压源的设计王永顺;崔玉旺;赵永瑞;汪再兴;刘倩
- (60)投射电容式触控芯片的研究与设计詹思维
- (66)一种用于FPGA的可配置存储器设计高闯;吴利华;芳罗;家俊
- (71)氮氢混合等离子体处理对SiC MOS电容可靠性的影响王晓琳;刘冰冰;秦福文;王德君
- (78)LaON钝化层改善HfTiO高k栅介质Ge MOS电容电特性（英文）徐火希;徐静平
- (83)0.5mm节距数模混合陶瓷封装外壳加工工艺研究唐利锋;庞学满;陈寰贝;李永彬;夏庆水;曹坤
- (87)90GHz输出功率为1.1W的W波段GaN单片研制吴少兵;王维波;高建峰
|
|
|
|
|
